casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY7C1423KV18-300BZXC
Número de pieza del fabricante | CY7C1423KV18-300BZXC |
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Número de parte futuro | FT-CY7C1423KV18-300BZXC |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C1423KV18-300BZXC Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Synchronous, DDR II |
Tamaño de la memoria | 36Mb (2M x 18) |
Frecuencia de reloj | 300MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 165-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 165-FBGA (13x15) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1423KV18-300BZXC Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY7C1423KV18-300BZXC-FT |
S34ML08G201TFI003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML08G201TFV000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML08G201TFV003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML16G202TFI200
Cypress Semiconductor Corp
S34ML16G202TFI203
Cypress Semiconductor Corp
S34MS01G200TFA000
Cypress Semiconductor Corp
S34MS01G200TFA003
Cypress Semiconductor Corp
S34MS01G200TFB000
Cypress Semiconductor Corp
S34MS01G200TFB003
Cypress Semiconductor Corp
S34MS01G200TFI003
Cypress Semiconductor Corp
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel