casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY7C1411BV18-250BZC
Número de pieza del fabricante | CY7C1411BV18-250BZC |
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Número de parte futuro | FT-CY7C1411BV18-250BZC |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C1411BV18-250BZC Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Synchronous, QDR II |
Tamaño de la memoria | 36Mb (4M x 8) |
Frecuencia de reloj | 250MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 165-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 165-FBGA (15x17) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1411BV18-250BZC Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY7C1411BV18-250BZC-FT |
CY7C1615KV18-300BZXI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C2644KV18-300BZXI
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CY7C1623KV18-333BZXC
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Cypress Semiconductor Corp
APA750-FG896A
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Microsemi Corporation
AT40K20AL-1CQC
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EP4CE6F17C8
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10AX027H2F35I2LG
Intel
A42MX09-PQG100I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190FF35C4N
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5CEFA2M13C8N
Intel
EP4SGX110FF35C2XN
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