casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY7C1393BV18-250BZI
Número de pieza del fabricante | CY7C1393BV18-250BZI |
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Número de parte futuro | FT-CY7C1393BV18-250BZI |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C1393BV18-250BZI Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Synchronous, DDR II |
Tamaño de la memoria | 18Mb (1M x 18) |
Frecuencia de reloj | 250MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 165-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 165-FBGA (13x15) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1393BV18-250BZI Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY7C1393BV18-250BZI-FT |
CY7C1314KV18-333BZC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1314SV18-200BZC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1314SV18-250BZC
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CY7C1315BV18-167BZC
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Cypress Semiconductor Corp
CY7C1315BV18-200BZC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1315BV18-200BZI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1315BV18-200BZXC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1315BV18-200BZXI
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A3P030-2QNG68I
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XC3S50A-5TQG144C
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A3P250-2FG256I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E1H29I2N
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XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A40MX04-2PQG100I
Microsemi Corporation
10AX057K1F35I1SG
Intel
EPF10K50SQC240-1N
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EP1S25F1020C7N
Intel