casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY7C1320KV18-300BZC
Número de pieza del fabricante | CY7C1320KV18-300BZC |
---|---|
Número de parte futuro | FT-CY7C1320KV18-300BZC |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C1320KV18-300BZC Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Synchronous, DDR II |
Tamaño de la memoria | 18Mb (512K x 36) |
Frecuencia de reloj | 300MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 165-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 165-FBGA (13x15) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1320KV18-300BZC Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY7C1320KV18-300BZC-FT |
CY7C1312BV18-167BZC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1312BV18-167BZCT
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1312BV18-167BZI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1312BV18-200BZC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1312BV18-200BZI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1312BV18-200BZXC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1312BV18-250BZC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1312CV18-167BZC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1312CV18-167BZI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1312CV18-200BZC
Cypress Semiconductor Corp
XCVU080-H1FFVC1517E
Xilinx Inc.
A54SX08A-2FG144I
Microsemi Corporation
AGL400V2-FG484I
Microsemi Corporation
EP1S10F484I6N
Intel
10AX032H3F34I2LG
Intel
EP3SL110F1152C4LN
Intel
XC5VLX30-1FFG324CES
Xilinx Inc.
5AGXBB7D6F35C6N
Intel
EP1C12F324C6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel