casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY7C1263KV18-400BZI
Número de pieza del fabricante | CY7C1263KV18-400BZI |
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Número de parte futuro | FT-CY7C1263KV18-400BZI |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C1263KV18-400BZI Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Synchronous, QDR II+ |
Tamaño de la memoria | 36Mb (2M x 18) |
Frecuencia de reloj | 400MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 165-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 165-FBGA (13x15) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1263KV18-400BZI Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY7C1263KV18-400BZI-FT |
CY7C1150KV18-400BZXI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1168KV18-450BZXC
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Xilinx Inc.
LAE5UM-45F-7BG381E
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5SGSMD4K3F40I3L
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XC4010E-3HQ208I
Xilinx Inc.
XC4VLX60-10FFG668C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-7F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
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EPF10K50VRI240-3
Intel