casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY7C1263KV18-400BZI
Número de pieza del fabricante | CY7C1263KV18-400BZI |
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Número de parte futuro | FT-CY7C1263KV18-400BZI |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C1263KV18-400BZI Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Synchronous, QDR II+ |
Tamaño de la memoria | 36Mb (2M x 18) |
Frecuencia de reloj | 400MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 165-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 165-FBGA (13x15) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1263KV18-400BZI Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY7C1263KV18-400BZI-FT |
CY7C1150KV18-400BZXI
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EX64-TQ100A
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A42MX36-1PQ240
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN060-VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-3
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10CL016YE144C8G
Intel
5SGXEA4K2F35C2L
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LFE2-20SE-5FN256I
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10AX090U4F45I3LG
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