casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY7C1061GN30-10BV1XIT
Número de pieza del fabricante | CY7C1061GN30-10BV1XIT |
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Número de parte futuro | FT-CY7C1061GN30-10BV1XIT |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C1061GN30-10BV1XIT Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 16Mb (1M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 10ns |
Tiempo de acceso | 10ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.2V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-VFBGA (6x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1061GN30-10BV1XIT Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY7C1061GN30-10BV1XIT-FT |
CY7C1061GE18-15BVXIT
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1061GE30-10BV1XI
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CY7C1061GE30-10BVXIT
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CY7C1061GN30-10BVXIT
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XC6SLX100T-2FG484I
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A3P400-FG256
Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
EP3C80F484I7N
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10CL120YF484C8G
Intel
A42MX16-TQ176A
Microsemi Corporation
5AGTFD7H3F35I5N
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Intel
EP1K100QC208-2N
Intel