casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY7C10612GN30-10ZSXIT
Número de pieza del fabricante | CY7C10612GN30-10ZSXIT |
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Número de parte futuro | FT-CY7C10612GN30-10ZSXIT |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C10612GN30-10ZSXIT Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 16Mb (1M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 10ns |
Tiempo de acceso | 10ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.2V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 54-TSOP II |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C10612GN30-10ZSXIT Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY7C10612GN30-10ZSXIT-FT |
S29GL512P10TFI020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512P10TFIR10
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512P10TFIR10D
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512P10TFIR20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512P10TFIR20D
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512P11TAI010
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512P11TAI020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512P11TFI010
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512P11TFI020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512P11TFI020D
Cypress Semiconductor Corp
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel