casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY7C10612GE30-10ZSXI
Número de pieza del fabricante | CY7C10612GE30-10ZSXI |
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Número de parte futuro | FT-CY7C10612GE30-10ZSXI |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C10612GE30-10ZSXI Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 16Mb (1M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 10ns |
Tiempo de acceso | 10ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 54-TSOP II |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C10612GE30-10ZSXI Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY7C10612GE30-10ZSXI-FT |
S29GL01GP13TFIV10
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT12TFM020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT12TFM023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT12TFVV13
Cypress Semiconductor Corp
S29GL032N11TFIV13
Cypress Semiconductor Corp
S29GL032N11TFIV23
Cypress Semiconductor Corp
S29GL032N90TAI010
Cypress Semiconductor Corp
S29GL032N90TAI020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL032N90TFA020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL032N90TFVR23
Cypress Semiconductor Corp
M1AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
AGL060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
AGLN060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F40C3N
Intel
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
5SGXEB6R3F43C3
Intel
EP4SGX360KF43I4
Intel
XC4VFX60-10FF672C
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400EBC652-2X
Intel