casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY7C1011G30-10ZSXAT
Número de pieza del fabricante | CY7C1011G30-10ZSXAT |
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Número de parte futuro | FT-CY7C1011G30-10ZSXAT |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C1011G30-10ZSXAT Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 2Mb (128K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 10ns |
Tiempo de acceso | 10ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.2V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 44-TSOP II |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1011G30-10ZSXAT Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY7C1011G30-10ZSXAT-FT |
CY7C1021CV33-10ZSXA
Cypress Semiconductor Corp
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XA3S250E-4VQG100I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
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ICE40LM2K-CM36
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LFEC10E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780I3N
Intel
EP2AGZ300FF35I4N
Intel