casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY7C1011G30-10ZSXAT
Número de pieza del fabricante | CY7C1011G30-10ZSXAT |
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Número de parte futuro | FT-CY7C1011G30-10ZSXAT |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C1011G30-10ZSXAT Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 2Mb (128K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 10ns |
Tiempo de acceso | 10ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.2V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 44-TSOP II |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1011G30-10ZSXAT Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY7C1011G30-10ZSXAT-FT |
CY7C1021CV33-10ZSXA
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1020CV26-15ZSXE
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Cypress Semiconductor Corp
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A3PN125-Z2VQ100
Microsemi Corporation
EP2C70F672I8
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EP4CGX110DF27C8N
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EP20K30EFI144-2X
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XC7K480T-L2FFG901I
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XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-6FG484C
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EP1S20F780C5N
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EP1C12F324C7N
Intel