casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY62167G-45BVXIT
Número de pieza del fabricante | CY62167G-45BVXIT |
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Número de parte futuro | FT-CY62167G-45BVXIT |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MoBL® |
CY62167G-45BVXIT Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 16Mb (2M x 8, 1M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 45ns |
Tiempo de acceso | 45ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-VFBGA (6x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY62167G-45BVXIT Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY62167G-45BVXIT-FT |
DS1230AB-200IND
Maxim Integrated
CY7C1021BNV33L-15BAI
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CY7C1021BNV33L-15BAIT
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CY7C1021CV33-10BAXI
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XC4006E-3TQ144C
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XC6SLX150T-N3FGG900C
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-6FTN256I
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10M08DCF484I7G
Intel
EP3CLS150F484C8
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EP4CE115F23C7
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XC2VP20-6FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HE-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX027E2F27E1HG
Intel
EP4SGX360HF35I3N
Intel