casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY62147GN30-45BVXI
Número de pieza del fabricante | CY62147GN30-45BVXI |
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Número de parte futuro | FT-CY62147GN30-45BVXI |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MoBL® |
CY62147GN30-45BVXI Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 4Mb (256K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 45ns |
Tiempo de acceso | 45ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.2V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-VFBGA (6x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY62147GN30-45BVXI Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY62147GN30-45BVXI-FT |
DS1225Y-150IND+
Maxim Integrated
DS1225Y-200+
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DS1230AB-200IND
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CY7C1021BNV33L-15BAI
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CY7C10212CV33-12BAXET
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CY7C10212CV33-12BAXE
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M1AFS600-2FG484
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AGL060V5-VQG100I
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AGLN060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F40C3N
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5CGXFC4F6M11C7N
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5SGXEB6R3F43C3
Intel
EP4SGX360KF43I4
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XC4VFX60-10FF672C
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LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400EBC652-2X
Intel