casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY62147GN30-45B2XI
Número de pieza del fabricante | CY62147GN30-45B2XI |
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Número de parte futuro | FT-CY62147GN30-45B2XI |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MoBL® |
CY62147GN30-45B2XI Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 4Mb (256K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 45ns |
Tiempo de acceso | 45ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.2V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-VFBGA (6x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY62147GN30-45B2XI Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY62147GN30-45B2XI-FT |
DS1225AD-170+
Maxim Integrated
DS1230AB-85+
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DS1225Y-150IND+
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DS1225Y-200+
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DS1230AB-200IND
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CY7C1021BNV33L-15BAI
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CY7C10212CV33-12BAXET
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CY62136VNLL-70BAXAT
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Cypress Semiconductor Corp
XC2VP4-5FGG256I
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XC3S200-5FT256C
Xilinx Inc.
XC7A100T-L2FTG256E
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FG484C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-2100E-5UWG49CTR1K
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A54SX16-1VQG100I
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5SGXEA5K2F35I3N
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5SGXEA7K2F35C2
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EPF10K100EBC356-2
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EPF10K100EQC240-1N
Intel