casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY62147GN18-55BVXI
Número de pieza del fabricante | CY62147GN18-55BVXI |
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Número de parte futuro | FT-CY62147GN18-55BVXI |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MoBL® |
CY62147GN18-55BVXI Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 4Mb (256K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 55ns |
Tiempo de acceso | 55ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.65V ~ 2.2V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-VFBGA (6x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY62147GN18-55BVXI Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY62147GN18-55BVXI-FT |
DS1230W-100IND+
Maxim Integrated
DS1225AB-200+
Maxim Integrated
DS1225AD-170+
Maxim Integrated
DS1230AB-85+
Maxim Integrated
DS1225Y-150IND+
Maxim Integrated
DS1225Y-200+
Maxim Integrated
DS1230AB-200IND
Maxim Integrated
CY7C1021BNV33L-15BAI
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CY7C10212CV33-12BAXET
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XC3S50A-5FTG256C
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XC3S1500-4FG676C
Xilinx Inc.
XC2VP70-6FF1517I
Xilinx Inc.
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EP4CGX150CF23I7
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LFE2-12SE-6F256I
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EP2SGX130GF40C5NES
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10AX016E3F27E1HG
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EP20K60EFC324-2
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