casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY62147GE18-55BVXIT
Número de pieza del fabricante | CY62147GE18-55BVXIT |
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Número de parte futuro | FT-CY62147GE18-55BVXIT |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MoBL® |
CY62147GE18-55BVXIT Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 4Mb (256K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 55ns |
Tiempo de acceso | 55ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.65V ~ 2.2V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-VFBGA (6x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY62147GE18-55BVXIT Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY62147GE18-55BVXIT-FT |
DS1225AD-70IND+
Maxim Integrated
DS1225AB-70+
Maxim Integrated
DS1230Y-120IND+
Maxim Integrated
DS1230W-100IND+
Maxim Integrated
DS1225AB-200+
Maxim Integrated
DS1225AD-170+
Maxim Integrated
DS1230AB-85+
Maxim Integrated
DS1225Y-150IND+
Maxim Integrated
DS1225Y-200+
Maxim Integrated
DS1230AB-200IND
Maxim Integrated
XC7S50-2FGGA484I
Xilinx Inc.
A3P600L-FG256I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-4
Intel
10M16SCE144C8G
Intel
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA5U19C7N
Intel
5AGXFA5H4F35I3
Intel
EP2AGX260FF35I3N
Intel
EP4SGX70HF35C3
Intel