casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY15B104Q-LHXIT
Número de pieza del fabricante | CY15B104Q-LHXIT |
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Número de parte futuro | FT-CY15B104Q-LHXIT |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | F-RAM™ |
CY15B104Q-LHXIT Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FRAM |
Tecnología | FRAM (Ferroelectric RAM) |
Tamaño de la memoria | 4Mb (512K x 8) |
Frecuencia de reloj | 40MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 2V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-WDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-DFN (5x6) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY15B104Q-LHXIT Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY15B104Q-LHXIT-FT |
W25Q32FWZPIG
Winbond Electronics
W25Q32FWZPIQ
Winbond Electronics
W25Q32FWZPIQ TR
Winbond Electronics
W25Q40BWZPIG
Winbond Electronics
W25Q40BWZPIG TR
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W25Q40CLZPIG
Winbond Electronics
W25Q64BVZEIG
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W25Q64CVZEIG
Winbond Electronics
W25Q64CVZEJG
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W25Q64CVZEJG TR
Winbond Electronics
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
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EP4CE115F23I8L
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XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
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EP20K100BC356-2N
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EP4SGX360FF35C4
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