casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY14V116N-BZ30XI
Número de pieza del fabricante | CY14V116N-BZ30XI |
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Número de parte futuro | FT-CY14V116N-BZ30XI |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY14V116N-BZ30XI Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | NVSRAM |
Tecnología | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamaño de la memoria | 16Mb (1M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 30ns |
Tiempo de acceso | 30ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 165-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 165-FBGA (15x17) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY14V116N-BZ30XI Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY14V116N-BZ30XI-FT |
S29GL512S10DHSS63
Cypress Semiconductor Corp
S29AL016J55FFAR20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS10DHA020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS10DHA023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS10DHI013
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS10DHI023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS10DHSS10
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS10DHSS13
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS10DHSS20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS10DHSS23
Cypress Semiconductor Corp
LFXP3E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S15-5VQG100C
Xilinx Inc.
M2GL090-1FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-2FG256I
Microsemi Corporation
ICE5LP2K-CM36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED6K3F40C2LN
Intel
LFEC10E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40E2SG
Intel