casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY14B104N-BA20XIT
Número de pieza del fabricante | CY14B104N-BA20XIT |
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Número de parte futuro | FT-CY14B104N-BA20XIT |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY14B104N-BA20XIT Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | NVSRAM |
Tecnología | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamaño de la memoria | 4Mb (256K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 20ns |
Tiempo de acceso | 20ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-FBGA (6x10) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY14B104N-BA20XIT Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY14B104N-BA20XIT-FT |
CY7C1462AV25-167BZI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1470BV25-167BZC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1470BV25-167BZCT
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1470BV25-167BZI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1470BV25-167BZIT
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1470BV25-167BZXC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1470BV25-200BZC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1470BV25-200BZCT
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1470BV25-200BZI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1470BV25-200BZIT
Cypress Semiconductor Corp
XCVU080-H1FFVC1517E
Xilinx Inc.
A54SX08A-2FG144I
Microsemi Corporation
AGL400V2-FG484I
Microsemi Corporation
EP1S10F484I6N
Intel
10AX032H3F34I2LG
Intel
EP3SL110F1152C4LN
Intel
XC5VLX30-1FFG324CES
Xilinx Inc.
5AGXBB7D6F35C6N
Intel
EP1C12F324C6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel