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Número de pieza del fabricante | CW201212-R22G |
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Número de parte futuro | FT-CW201212-R22G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CW201212 |
CW201212-R22G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ceramic |
Inductancia | 220nH |
Tolerancia | ±2% |
Valoración actual | 300mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 1.1 Ohm |
Q @ Freq | 50 @ 250MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 860MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 100MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0805 (2012 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 0805 (2012 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.083" L x 0.059" W (2.10mm x 1.50mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.059" (1.50mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CW201212-R22G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CW201212-R22G-FT |
RL110-471K-RC
Bourns Inc.
RL110-681K-RC
Bourns Inc.
CW252016-R33J
Bourns Inc.
CW252016-R82J
Bourns Inc.
CW252016-1R0J
Bourns Inc.
CW252016-R15J
Bourns Inc.
CW252016-R27J
Bourns Inc.
CW252016-10NG
Bourns Inc.
CW252016-10NJ
Bourns Inc.
CW252016-12NK
Bourns Inc.
XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA676C
Xilinx Inc.
A3P400-2FGG484
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208A
Microsemi Corporation
ICE65L04F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF27I7
Intel
EP1K10FC256-1N
Intel
A42MX16-3PQ160
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5M13C8N
Intel