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Central Semiconductor Corp CTLDM8002A-M621H TR

Name: CTLDM8002A-M621H TR
Brand: Central Semiconductor Corp
SKU: CTLDM8002A-M621H TR
Availability: InStock
Rating: 4.9 (664 reviews)

Número de pieza de MFG: CTLDM8002A-M621H TR

Cantidad disponible: 60040 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Central Semiconductor Corp

Breve descripción: - MOSFET N-CH 50V DFN6

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: CTLDM8002A-M621H TR.pdf

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Número de pieza del fabricante	CTLDM8002A-M621H TR
Número de parte futuro	FT-CTLDM8002A-M621H TR
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
CTLDM8002A-M621H TR Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	50V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	280mA (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	0.72nC @ 4.5V
Vgs (Max)	20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	70pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	1.6W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	TLM621H
Paquete / Caja	6-XFDFN Exposed Pad
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
CTLDM8002A-M621H TR Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	CTLDM8002A-M621H TR-FT

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