casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / CTLDM303N-M832DS TR
Número de pieza del fabricante | CTLDM303N-M832DS TR |
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Número de parte futuro | FT-CTLDM303N-M832DS TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CTLDM303N-M832DS TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica FET | Standard |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3.6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 1.8A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 590pF @ 10V |
Potencia - max | 1.65W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-TDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | TLM832DS |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CTLDM303N-M832DS TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CTLDM303N-M832DS TR-FT |
DMP2065UFDB-7
Diodes Incorporated
DMN3032LFDBQ-7
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DMC2041UFDB-13
Diodes Incorporated
DMC2041UFDB-7
Diodes Incorporated
XC4013XL-1PQ208I
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M2GL025T-1FCSG325I
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M2GL050T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A54SX16-2VQ100
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
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5SGXMB9R3H43I4N
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LFE2-50SE-7F484C
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LCMXO2-7000HE-4FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34E2SG
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10AX057K2F35I2LG
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