casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / CSICD05-1200 TR13
Número de pieza del fabricante | CSICD05-1200 TR13 |
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Número de parte futuro | FT-CSICD05-1200 TR13 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CSICD05-1200 TR13 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 5A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.7V @ 5A |
Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 0ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 190µA @ 1200V |
Capacitancia a Vr, F | 240pF @ 1V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paquete del dispositivo del proveedor | DPAK |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSICD05-1200 TR13 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CSICD05-1200 TR13-FT |
CGRM4005-HF
Comchip Technology
CGRM4001-G
Comchip Technology
CFRM103-G
Comchip Technology
CDSQR400B
Comchip Technology
CDSQR4148
Comchip Technology
CDSQR4448
Comchip Technology
CDBZ61045-HF
Comchip Technology
CDBZ5T30100-HF
Comchip Technology
CDBZ5T1045-HF
Comchip Technology
CDBQR00340
Comchip Technology
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel