casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / CSIC10-1200 SL
Número de pieza del fabricante | CSIC10-1200 SL |
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Número de parte futuro | FT-CSIC10-1200 SL |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CSIC10-1200 SL Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.8V @ 10A |
Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 0ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 400µA @ 1200V |
Capacitancia a Vr, F | 41pF @ 600V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-2 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220-2 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSIC10-1200 SL Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CSIC10-1200 SL-FT |
ACDBA140-HF
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LCMXO2-4000ZE-3TG144C
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XC6SLX150-N3FG676I
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Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
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EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
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