casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / CSD20030D
Número de pieza del fabricante | CSD20030D |
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Número de parte futuro | FT-CSD20030D |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Zero Recovery™ |
CSD20030D Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 300V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.4V @ 10A |
Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 0ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 200µA @ 300V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 175°C |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD20030D Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CSD20030D-FT |
MBR40045CTRL
GeneSiC Semiconductor
MBR60020CTL
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MBR60020CTRL
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MBR60030CTL
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