casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / CSD18541F5T
Número de pieza del fabricante | CSD18541F5T |
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Número de parte futuro | FT-CSD18541F5T |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FemtoFET™ |
CSD18541F5T Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.2A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 777pF @ 30V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 500mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 3-PICOSTAR |
Paquete / Caja | 3-XFDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD18541F5T Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CSD18541F5T-FT |
SSM3K341TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3K361TU,LF
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XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
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A40MX04-PQG100M
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EP1SGX40GF1020I6
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