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Texas Instruments CSD17579Q3AT

Número de pieza de MFG
CSD17579Q3AT
Cantidad disponible
54100 Piezas
Precio de referencia
USD 0.32256
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Fecha de envío
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fabricante
Texas Instruments
Breve descripción
NexFET™ MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie NexFET™
CSD17579Q3AT Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 20A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.2 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.9V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 998pF @ 15V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 3.2W (Ta), 29W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor 8-VSONP (3x3.15)
Paquete / Caja 8-PowerVDFN
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
CSD17579Q3AT Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto CSD17579Q3AT-FT

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