casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / CSD16323Q3
Número de pieza del fabricante | CSD16323Q3 |
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Número de parte futuro | FT-CSD16323Q3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | NexFET™ |
CSD16323Q3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 25V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 21A (Ta), 60A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 3V, 8V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 24A, 8V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 8.4nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | +10V, -8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1300pF @ 12.5V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) |
Paquete / Caja | 8-PowerTDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD16323Q3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CSD16323Q3-FT |
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