casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / CSD16301Q2
Número de pieza del fabricante | CSD16301Q2 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-CSD16301Q2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | NexFET™ |
CSD16301Q2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 25V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 5A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 3V, 8V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 4A, 8V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.55V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 2.8nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | +10V, -8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 340pF @ 12.5V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2.3W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-SON |
Paquete / Caja | 6-SMD, Flat Leads |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD16301Q2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CSD16301Q2-FT |
SSM3K7002BSU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3K7002KFU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3J46CTB(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3K59CTB,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6J512NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6K341NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6K361NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6K514NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TPW1R306PL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPW4R50ANH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
XCV50-6TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-4SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-45F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V5-VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K100ABC600-1
Intel
5SGXMA5K1F40C2LN
Intel
XC4013E-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672I
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation