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Texas Instruments CSD13302W

Número de pieza de MFG
CSD13302W
Cantidad disponible
75470 Piezas
Precio de referencia
USD 0.10824
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Fecha de envío
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fabricante
Texas Instruments
Breve descripción
NexFET™ MOSFET N-CH 12V 1.6A
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-CSD13302W
SPQ / MOQ Contáctenos
Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie NexFET™
CSD13302W Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 1.6A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17.1 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 7.8nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 862pF @ 6V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 1.8W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor 4-DSBGA
Paquete / Caja 4-UFBGA, DSBGA
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
CSD13302W Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto CSD13302W-FT

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