casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / CSA2J-E3/I
Número de pieza del fabricante | CSA2J-E3/I |
---|---|
Número de parte futuro | FT-CSA2J-E3/I |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CSA2J-E3/I Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 600V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1.6A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.15V @ 2A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 2.1µs |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacitancia a Vr, F | 11pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AC, SMA |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AC (SMA) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSA2J-E3/I Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CSA2J-E3/I-FT |
BYG10K-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10M-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10M-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10M-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10Y-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10Y-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20D-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20D-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20G-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20G-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX100-2CSG484C
Xilinx Inc.
XC7A15T-2FTG256I
Xilinx Inc.
EP3C5F256C8
Intel
10M04SCU169C8G
Intel
EP4CGX22BF14C6N
Intel
XC5VLX85T-3FF1136C
Xilinx Inc.
A40MX02-PQ100A
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-30E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F27E3SG
Intel