casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / CS2M-E3/H
Número de pieza del fabricante | CS2M-E3/H |
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Número de parte futuro | FT-CS2M-E3/H |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CS2M-E3/H Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1000V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 2A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 2A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 2.1µs |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacitancia a Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AA, SMB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AA (SMB) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CS2M-E3/H Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CS2M-E3/H-FT |
LSR106 L0G
Taiwan Semiconductor Corporation
RBS80270XX
Powerex Inc.
RBS80470XX
Powerex Inc.
RBS80670XX
Powerex Inc.
SDT3A40SAFS-13
Diodes Incorporated
SK15H45 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
V8PA10HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V8PA12HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V8PA15-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V8PA15HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel