casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / CS1M-E3/I
Número de pieza del fabricante | CS1M-E3/I |
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Número de parte futuro | FT-CS1M-E3/I |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CS1M-E3/I Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1000V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 1A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 1.5µs |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacitancia a Vr, F | 6pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AC, SMA |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AC (SMA) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CS1M-E3/I Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CS1M-E3/I-FT |
BYG10K-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10K-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10K-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10K-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10M-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10M-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10M-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10Y-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10Y-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20D-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel