casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / CRNB25-1200
Número de pieza del fabricante | CRNB25-1200 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-CRNB25-1200 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CRNB25-1200 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 15.9A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 25A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-2 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 125°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CRNB25-1200 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CRNB25-1200-FT |
CDLL6761/TR
Microsemi Corporation
CDSSC4148N-G
Comchip Technology
CLH01(TE16L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
CLH01(TE16R,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
CLH02(TE16L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
CLH02(TE16R,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
CLH03(TE16L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
CLH03(TE16R,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
CLH05(T6L,NKOD,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
CLH05(TE16R,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
A1010B-2VQG80C
Microsemi Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C2L
Intel
5SEE9H40I4N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1761E
Xilinx Inc.
5CEFA7F23C8N
Intel
EP20K200EQC208-1
Intel