casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / CPMF-1200-S080B
Número de pieza del fabricante | CPMF-1200-S080B |
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Número de parte futuro | FT-CPMF-1200-S080B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Z-FET™ |
CPMF-1200-S080B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 1200V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 50A (Tj) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 20A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 90.8nC @ 20V |
Vgs (Max) | +25V, -5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1915pF @ 800V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 313mW (Tj) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | Die |
Paquete / Caja | Die |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CPMF-1200-S080B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CPMF-1200-S080B-FT |
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