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Número de pieza del fabricante | CPD65-BAV45-CT |
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Número de parte futuro | FT-CPD65-BAV45-CT |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CPD65-BAV45-CT Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 20V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 50mA (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 10mA |
Velocidad | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 600ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5pA @ 5V |
Capacitancia a Vr, F | 1.3pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Die |
Paquete del dispositivo del proveedor | Die |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 125°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CPD65-BAV45-CT Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CPD65-BAV45-CT-FT |
BYV95-2-EBT1133TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW29-200H
ON Semiconductor
BYW76RAS15-10-PH
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW77P-200
STMicroelectronics
CBS10F40,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CCR257
Microsemi Corporation
CD0805-B120
Bourns Inc.
CD0805-B140
Bourns Inc.
CD0805-B160
Bourns Inc.
CD1607-B120LF
Bourns Inc.
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel