casa / productos / Aisladores / Optoaisladores - Transistor, Salida Fotovoltaica / CNY17F1M
Número de pieza del fabricante | CNY17F1M |
---|---|
Número de parte futuro | FT-CNY17F1M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CNY17F1M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
número de canales | 1 |
Tensión - Aislamiento | 4170Vrms |
Relación de transferencia de corriente (min) | 40% @ 10mA |
Relación de transferencia de corriente (Máx.) | 80% @ 10mA |
Tiempo de encendido / apagado (tipo) | 2µs, 3µs |
Tiempo de subida / caída (tipo) | 4µs, 3.5µs (Max) |
Tipo de entrada | DC |
Tipo de salida | Transistor |
Voltaje - Salida (Máx.) | 70V |
Corriente - Salida / Canal | 50mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Tipo) | 1.35V |
Corriente - DC Forward (If) (Max) | 60mA |
Saturación Vce (Max) | 400mV |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 100°C |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 6-DIP (0.300", 7.62mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-DIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CNY17F1M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CNY17F1M-FT |
PVI5013RS-T
Infineon Technologies
PVI5033RS
Infineon Technologies
TIL113SM
ON Semiconductor
TIL113M
ON Semiconductor
MOC8204SR2M
ON Semiconductor
MOC8204SM
ON Semiconductor
MOC8204M
ON Semiconductor
MOC8111M
ON Semiconductor
MOC8113M
ON Semiconductor
MOC8112M
ON Semiconductor
XC2S50E-6FTG256C
Xilinx Inc.
A3P600-1FGG256I
Microsemi Corporation
A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXMA3K3F35C2N
Intel
EP4SE360F35I3
Intel
M1A3P600L-FGG144I
Microsemi Corporation
10AX057K2F35E1SG
Intel
EPF10K30RI240-4N
Intel