casa / productos / Aisladores / Optoaisladores - Transistor, Salida Fotovoltaica / CNY17-3M
Número de pieza del fabricante | CNY17-3M |
---|---|
Número de parte futuro | FT-CNY17-3M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CNY17-3M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
número de canales | 1 |
Tensión - Aislamiento | 5000Vrms |
Relación de transferencia de corriente (min) | 100% @ 10mA |
Relación de transferencia de corriente (Máx.) | 200% @ 10mA |
Tiempo de encendido / apagado (tipo) | - |
Tiempo de subida / caída (tipo) | 5µs, 5µs |
Tipo de entrada | DC |
Tipo de salida | Transistor with Base |
Voltaje - Salida (Máx.) | 70V |
Corriente - Salida / Canal | 150mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Tipo) | 1.45V |
Corriente - DC Forward (If) (Max) | 60mA |
Saturación Vce (Max) | 300mV |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 100°C |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 6-DIP (0.400", 10.16mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-DIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CNY17-3M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CNY17-3M-FT |
MOCD213M
ON Semiconductor
H11D3SR2M
ON Semiconductor
H11D1SR2VM
ON Semiconductor
H11B1SR2VM
ON Semiconductor
H11B1SR2M
ON Semiconductor
H11AA1SR2M
ON Semiconductor
H11AA1SM
ON Semiconductor
FODM121AR2
ON Semiconductor
FODM121BR2
ON Semiconductor
FODM2701
ON Semiconductor
LFE2-20SE-7QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-1PQG208
Microsemi Corporation
EP1S10F484I6N
Intel
LCMXO2-7000ZE-1BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45E2SG
Intel
5AGXBA5D4F31C5N
Intel
EPF10K30BC356-3
Intel
5CEBA2U15C6N
Intel
5CEBA2U15I7
Intel
EP4CGX22CF19I7
Intel