casa / productos / Aisladores / Optoaisladores - Transistor, Salida Fotovoltaica / CNY17-2M
Número de pieza del fabricante | CNY17-2M |
---|---|
Número de parte futuro | FT-CNY17-2M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CNY17-2M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
número de canales | 1 |
Tensión - Aislamiento | 5000Vrms |
Relación de transferencia de corriente (min) | 63% @ 10mA |
Relación de transferencia de corriente (Máx.) | 125% @ 10mA |
Tiempo de encendido / apagado (tipo) | - |
Tiempo de subida / caída (tipo) | 5µs, 5µs |
Tipo de entrada | DC |
Tipo de salida | Transistor with Base |
Voltaje - Salida (Máx.) | 70V |
Corriente - Salida / Canal | 150mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Tipo) | 1.45V |
Corriente - DC Forward (If) (Max) | 60mA |
Saturación Vce (Max) | 300mV |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 100°C |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 6-DIP (0.400", 10.16mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-DIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CNY17-2M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CNY17-2M-FT |
MOCD223R2M
ON Semiconductor
MOCD213M
ON Semiconductor
H11D3SR2M
ON Semiconductor
H11D1SR2VM
ON Semiconductor
H11B1SR2VM
ON Semiconductor
H11B1SR2M
ON Semiconductor
H11AA1SR2M
ON Semiconductor
H11AA1SM
ON Semiconductor
FODM121AR2
ON Semiconductor
FODM121BR2
ON Semiconductor
XC4010E-3PQ208I
Xilinx Inc.
EP1SGX10DF672C5N
Intel
5SGXMB5R2F43I3LN
Intel
A42MX16-3PQG100
Microsemi Corporation
LFXP10E-4FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-7LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9U19C8N
Intel
5CGXFC3B6U19I7N
Intel
10AX115U4F45E3SG
Intel
EP2SGX60CF780C5
Intel