casa / productos / Aisladores / Optoaisladores - Transistor, Salida Fotovoltaica / CNY17-2-W00E
Número de pieza del fabricante | CNY17-2-W00E |
---|---|
Número de parte futuro | FT-CNY17-2-W00E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CNY17-2-W00E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
número de canales | 1 |
Tensión - Aislamiento | 5000Vrms |
Relación de transferencia de corriente (min) | 63% @ 10mA |
Relación de transferencia de corriente (Máx.) | 125% @ 10mA |
Tiempo de encendido / apagado (tipo) | - |
Tiempo de subida / caída (tipo) | 5µs, 5µs |
Tipo de entrada | DC |
Tipo de salida | Transistor with Base |
Voltaje - Salida (Máx.) | 70V |
Corriente - Salida / Canal | 150mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Tipo) | 1.4V |
Corriente - DC Forward (If) (Max) | 60mA |
Saturación Vce (Max) | 300mV |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 100°C |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 6-DIP (0.400", 10.16mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-DIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CNY17-2-W00E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CNY17-2-W00E-FT |
MOCD217R1VM
ON Semiconductor
MOCD223R1M
ON Semiconductor
MOCD223R1VM
ON Semiconductor
FODM121CR2
ON Semiconductor
FODM1007R2
ON Semiconductor
FODM124
ON Semiconductor
FODM1008R2
ON Semiconductor
FODM121B
ON Semiconductor
FODM1009R2
ON Semiconductor
FODM1007
ON Semiconductor
XC4005E-2TQ144C
Xilinx Inc.
M2GL090T-FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FGG484
Microsemi Corporation
A3PN010-1QNG48I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208A
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152I4LN
Intel
XC7VX1140T-L2FLG1928E
Xilinx Inc.
XC7K410T-2FFG676C
Xilinx Inc.
M1AGL250V5-FGG144I
Microsemi Corporation
EP1S40F780C7N
Intel