casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / CM100DUS-12F
Número de pieza del fabricante | CM100DUS-12F |
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Número de parte futuro | FT-CM100DUS-12F |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IGBTMOD™ |
CM100DUS-12F Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo IGBT | Trench |
Configuración | Half Bridge |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 600V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100A |
Potencia - max | 350W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 100A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 1mA |
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 27nF @ 10V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | Module |
Paquete del dispositivo del proveedor | Module |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CM100DUS-12F Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CM100DUS-12F-FT |
APTGV25H120T3G
Microsemi Corporation
APTGV30H60T3G
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BSM100GAL120DLCKHOSA1
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BSM100GB120DLCHOSA1
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BSM100GB120DLCKHOSA1
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EP3SE260F1517I4L
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EP2AGX45DF25C6
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10AX032H3F34I2LG
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XC4VFX60-11FF1152C
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A42MX24-TQG176I
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LCMXO640E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
10M04SCM153C8G
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EP2SGX90FF1508C5N
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EP1C6Q240C7N
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EP1SGX40DF1020C7N
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