casa / productos / Resistencias / Resistencias de montaje en chasis / CJT200820RJJ
Número de pieza del fabricante | CJT200820RJJ |
---|---|
Número de parte futuro | FT-CJT200820RJJ |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CJT, CGS |
CJT200820RJJ Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 820 Ohms |
Tolerancia | ±5% |
Potencia (vatios) | 200W |
Composición | Wirewound |
Coeficiente de temperatura | ±440ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | - |
Caracteristicas | - |
Revestimiento, tipo de vivienda | Aluminum |
Característica de montaje | Flanges |
Tamaño / Dimensión | 6.496" L x 2.362" W (165.00mm x 60.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 1.181" (30.00mm) |
Estilo de plomo | Wire Leads |
Paquete / Caja | Rectangular Case |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CJT200820RJJ Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CJT200820RJJ-FT |
CJT15001R8JJ
TE Connectivity Passive Product
CJT1500220RJJ
TE Connectivity Passive Product
CJT150022RJJ
TE Connectivity Passive Product
CJT1500270RJJ
TE Connectivity Passive Product
CJT150027RJJ
TE Connectivity Passive Product
CJT15002R2JJ
TE Connectivity Passive Product
CJT15002R7JJ
TE Connectivity Passive Product
CJT1500330RJJ
TE Connectivity Passive Product
CJT150033RJJ
TE Connectivity Passive Product
CJT1500390RJJ
TE Connectivity Passive Product
LCMXO2280C-3TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P060-2VQ100I
Microsemi Corporation
AGL125V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP2AGZ225HF40C4N
Intel
5AGXMA5D4F27C4N
Intel
5SGXEA5K2F35I3L
Intel
XC5VLX50T-1FF665C
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1AGX50DF780C6
Intel
EP1C12F324I7N
Intel