casa / productos / Resistencias / Resistencias de montaje en chasis / CJT12002R2JJ
Número de pieza del fabricante | CJT12002R2JJ |
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Número de parte futuro | FT-CJT12002R2JJ |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CJT, CGS |
CJT12002R2JJ Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 2.2 Ohms |
Tolerancia | ±5% |
Potencia (vatios) | 1200W |
Composición | Wirewound |
Coeficiente de temperatura | ±440ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | - |
Caracteristicas | - |
Revestimiento, tipo de vivienda | Aluminum |
Característica de montaje | Flanges |
Tamaño / Dimensión | 17.717" L x 1.969" W (450.00mm x 50.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 4.213" (107.00mm) |
Estilo de plomo | Wire Leads |
Paquete / Caja | Rectangular Case |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CJT12002R2JJ Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CJT12002R2JJ-FT |
TL88K1K00E
Ohmite
TL88K22R0
Ohmite
TL88K250RE
Ohmite
TL88K2K70E
Ohmite
TL88K2R00
Ohmite
TL88K2R00E
Ohmite
TL88K4K70E
Ohmite
TL88K7K50E
Ohmite
TL88K7R50E
Ohmite
BDS2A250400RJ
TE Connectivity Passive Product
XC3S400-4FG320C
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A42MX36-CQ256M
Microsemi Corporation
AGLN060V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
10M16DCF256C8G
Intel
EP1K10FC256-2
Intel
5SGXMA4K3F35C2LN
Intel
LFEC10E-4FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65DF29C4N
Intel
EP2SGX30CF780C3N
Intel