casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / CIGW201610GM4R7SLE
Número de pieza del fabricante | CIGW201610GM4R7SLE |
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Número de parte futuro | FT-CIGW201610GM4R7SLE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIGW |
CIGW201610GM4R7SLE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Metal Composite |
Inductancia | 4.7µH |
Tolerancia | ±0.3nH |
Valoración actual | - |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | - |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0806 (2016 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 0806 (2016 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGW201610GM4R7SLE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CIGW201610GM4R7SLE-FT |
CIG22H2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22H3R3MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22H3R3MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22HR33MAE
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CIG22HR47MAE
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CIG22L1R0MNE
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CIG22L1R2MNE
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CIG22L1R5MNE
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CIG22LR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
EP2C5T144C8N
Intel
XC6VLX75T-3FFG484C
Xilinx Inc.
A3P250-FGG256T
Microsemi Corporation
AT40K10AL-1EQC
Microchip Technology
AT40K05-2RQC
Microchip Technology
5SGXMA5K3F40I3LN
Intel
LFE2M20SE-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090H4F34I3LG
Intel
EP2AGX65CU17C6ES
Intel