casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / CIGW201610GLR68MLE
Número de pieza del fabricante | CIGW201610GLR68MLE |
---|---|
Número de parte futuro | FT-CIGW201610GLR68MLE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIGW |
CIGW201610GLR68MLE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Metal Composite |
Inductancia | 680nH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 4.2A |
Corriente - Saturación | 3.6A |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 37 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0806 (2016 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 0806 (2016 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGW201610GLR68MLE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CIGW201610GLR68MLE-FT |
CIG22H1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22H2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22H3R3MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22H3R3MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22HR33MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22HR47MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22HR56MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22L1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22L1R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22L1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics
XCV50E-6FG256I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P060-1VQG100I
Microsemi Corporation
XC7A200T-1FB484C
Xilinx Inc.
XC7VX690T-1FF1761I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-6LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H4F34E3SG
Intel
EP3C25F324I7
Intel
EP20K300EQC208-2
Intel