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Número de pieza del fabricante | CIGW201610GLR68MLE |
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Número de parte futuro | FT-CIGW201610GLR68MLE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIGW |
CIGW201610GLR68MLE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Metal Composite |
Inductancia | 680nH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 4.2A |
Corriente - Saturación | 3.6A |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 37 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0806 (2016 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 0806 (2016 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGW201610GLR68MLE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CIGW201610GLR68MLE-FT |
CIG22H1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22H2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22H3R3MAE
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CIG22H3R3MNE
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CIG22HR33MAE
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CIG22L1R0MNE
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CIG22L1R2MNE
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CIG22L1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics
ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
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EPF10K50VBC356-4
Intel
EP3C40F324C8N
Intel