casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / CIGW201610GHR33MLE
Número de pieza del fabricante | CIGW201610GHR33MLE |
---|---|
Número de parte futuro | FT-CIGW201610GHR33MLE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIGW |
CIGW201610GHR33MLE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Metal Composite |
Inductancia | 330nH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 4A |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 23 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0806 (2016 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 0806 (2016 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGW201610GHR33MLE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CIGW201610GHR33MLE-FT |
CIG22L100MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22L2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22H1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252010EH2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22H4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22H1R0MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252008LM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22H2R2MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22B4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252012LMR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
LFE2-6SE-7TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-1TQG144
Microsemi Corporation
LFEC3E-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX45-3FG484C
Xilinx Inc.
XC7A75T-2FG484I
Xilinx Inc.
AFS600-1FG484K
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-5FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX290KF43I4
Intel
EP3SE80F1152C4
Intel
LFE3-70EA-9FN484C
Lattice Semiconductor Corporation