casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / CIGT252008LM2R2MNE
Número de pieza del fabricante | CIGT252008LM2R2MNE |
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Número de parte futuro | FT-CIGT252008LM2R2MNE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIGT |
CIGT252008LM2R2MNE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Thin Film |
Material - Núcleo | Metal Composite |
Inductancia | 2.2µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 2A |
Corriente - Saturación | 2.1A |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 97 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 1008 (2520 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 1008 (2520 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.032" (0.80mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT252008LM2R2MNE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CIGT252008LM2R2MNE-FT |
CIH05T6N8JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05TR10JNC
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M1AFS600-FG484K
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LCMXO2-1200ZE-3SG32I
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XC4010E-1HQ208C
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XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70E-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29I5
Intel
EP4SGX230DF29I4
Intel
EP20K100EQI240-2X
Intel