casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / CIGT252008LM2R2MNE
Número de pieza del fabricante | CIGT252008LM2R2MNE |
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Número de parte futuro | FT-CIGT252008LM2R2MNE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIGT |
CIGT252008LM2R2MNE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Thin Film |
Material - Núcleo | Metal Composite |
Inductancia | 2.2µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 2A |
Corriente - Saturación | 2.1A |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 97 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 1008 (2520 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 1008 (2520 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.032" (0.80mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT252008LM2R2MNE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CIGT252008LM2R2MNE-FT |
CIH05T6N8JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05TR10JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T22NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T2N7SNC
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CIH05T3N3SNC
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CIH05T8N2JNC
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CIH05T3N0SNC
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CIH05T3N9SNC
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CIH05T5N6SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T68NJNC
Samsung Electro-Mechanics
A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel