casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / CIGT252008LHR47MNE

| Número de pieza del fabricante | CIGT252008LHR47MNE |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-CIGT252008LHR47MNE |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | CIGT |
| CIGT252008LHR47MNE Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo | Thin Film |
| Material - Núcleo | Metal Composite |
| Inductancia | 470nH |
| Tolerancia | ±20% |
| Valoración actual | 4.2A |
| Corriente - Saturación | 5.5A |
| Blindaje | Unshielded |
| Resistencia DC (DCR) | 29 mOhm Max |
| Q @ Freq | - |
| Frecuencia - Auto-resonante | - |
| Calificaciones | - |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
| Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1MHz |
| Caracteristicas | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caja | 1008 (2520 Metric) |
| Paquete del dispositivo del proveedor | 1008 (2520 Metric) |
| Tamaño / Dimensión | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| Altura - Sentado (Max) | 0.032" (0.80mm) |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| CIGT252008LHR47MNE Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | CIGT252008LHR47MNE-FT |

CIH05Q6N2SNC
Samsung Electro-Mechanics

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AGL030V5-VQ100I
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5SGXEA5N1F40I2N
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XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.

A42MX24-1PQ160
Microsemi Corporation

LFE2-20E-6F672C
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LFE2-35SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation

EP2AGX125EF29C6ES
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