casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / CIG22E4R7MNE
Número de pieza del fabricante | CIG22E4R7MNE |
---|---|
Número de parte futuro | FT-CIG22E4R7MNE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIG22E |
CIG22E4R7MNE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Multilayer |
Material - Núcleo | - |
Inductancia | 4.7µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 1A |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 265 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 1008 (2520 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 1008 (2520 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIG22E4R7MNE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CIG22E4R7MNE-FT |
CIH05Q2N2SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q2N4SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q2N7SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q33NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q39NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q3N0SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q3N3SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q3N6SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q3N9SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q47NJNC
Samsung Electro-Mechanics
EP1C6T144C7N
Intel
XA6SLX75-3FGG484Q
Xilinx Inc.
XC6SLX75-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1AGLE3000V2-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208M
Microsemi Corporation
5SGXMA7K2F40C1
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
10AX115N2F45E1SG
Intel
EP2AGX125EF35C6
Intel
EP2AGZ350FF35I3N
Intel