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Número de pieza del fabricante | CIG10F1R0MNC |
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Número de parte futuro | FT-CIG10F1R0MNC |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIG10F |
CIG10F1R0MNC Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Multilayer |
Material - Núcleo | - |
Inductancia | 1µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 700mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 300 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0603 (1608 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 0603 (1608 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIG10F1R0MNC Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CIG10F1R0MNC-FT |
CIGT201610UMR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
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CIGW201610GH2R2MLE
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XC2VP30-6FGG676C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BGG456I
Microsemi Corporation
A3PN125-1VQ100I
Microsemi Corporation
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F35I2LG
Intel
5AGXBA5D4F35I5N
Intel
EP2S180F1508C4N
Intel
EPF81188AQC240-4
Intel