casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - RF / CGH09120F
Número de pieza del fabricante | CGH09120F |
---|---|
Número de parte futuro | FT-CGH09120F |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GaN |
CGH09120F Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | HEMT |
Frecuencia | 2.5GHz |
Ganancia | 21.5dB |
Voltaje - prueba | 28V |
Valoración actual | - |
Figura de ruido | - |
Corriente - Prueba | 1.2A |
Salida de potencia | 120W |
Tensión nominal | 84V |
Paquete / Caja | 440095 |
Paquete del dispositivo del proveedor | 440095 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CGH09120F Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CGH09120F-FT |
AFT09MP055NR1
NXP USA Inc.
MRF6V3090NR1
NXP USA Inc.
MRF6VP3091NR1
NXP USA Inc.
MRFE6S9125NR1
NXP USA Inc.
MRFE6VP5150NR1
NXP USA Inc.
MRF5P21045NR1
NXP USA Inc.
MRF5S18060NR1
NXP USA Inc.
MRF5S19060MR1
NXP USA Inc.
MRF5S19060NR1
NXP USA Inc.
MRF5S21045NR1
NXP USA Inc.
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2FG484
Microsemi Corporation
5SGXEA5N2F45C3N
Intel
XC4010XL-2BG256C
Xilinx Inc.
XC4VLX40-10FFG1148I
Xilinx Inc.
LFEC6E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX90FF1508I4N
Intel
EP3C120F780C7N
Intel
EP4CE40F29I7
Intel
EP1S30F780I6N
Intel