casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - RF / CGH09120F
Número de pieza del fabricante | CGH09120F |
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Número de parte futuro | FT-CGH09120F |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GaN |
CGH09120F Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | HEMT |
Frecuencia | 2.5GHz |
Ganancia | 21.5dB |
Voltaje - prueba | 28V |
Valoración actual | - |
Figura de ruido | - |
Corriente - Prueba | 1.2A |
Salida de potencia | 120W |
Tensión nominal | 84V |
Paquete / Caja | 440095 |
Paquete del dispositivo del proveedor | 440095 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CGH09120F Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CGH09120F-FT |
AFT09MP055NR1
NXP USA Inc.
MRF6V3090NR1
NXP USA Inc.
MRF6VP3091NR1
NXP USA Inc.
MRFE6S9125NR1
NXP USA Inc.
MRFE6VP5150NR1
NXP USA Inc.
MRF5P21045NR1
NXP USA Inc.
MRF5S18060NR1
NXP USA Inc.
MRF5S19060MR1
NXP USA Inc.
MRF5S19060NR1
NXP USA Inc.
MRF5S21045NR1
NXP USA Inc.
XC6SLX4-L1TQG144C
Xilinx Inc.
XC4044XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
AGLN030V5-ZCSG81
Microsemi Corporation
EPF8282ATI100-3NGZ
Intel
EP2C15AF484C8N
Intel
EP3C16U256C7
Intel
EP3SL340F1517I3N
Intel
XC7A25T-L2CPG238E
Xilinx Inc.
A3P060-1FGG144T
Microsemi Corporation
EP1S80B956C7
Intel