casa / productos / Condensadores / Condensadores de ceramica / CDR12BG9R1ABUS
Número de pieza del fabricante | CDR12BG9R1ABUS |
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Número de parte futuro | FT-CDR12BG9R1ABUS |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-55681, CDR12 |
CDR12BG9R1ABUS Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Capacidad | 9.1pF |
Tolerancia | ±0.1pF |
Tensión nominal | 50V |
Coeficiente de temperatura | BG |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
Caracteristicas | - |
Calificaciones | - |
Aplicaciones | High Reliability |
Tasa de fracaso | S (0.001%) |
Tipo de montaje | Surface Mount, MLCC |
Paquete / Caja | 0505 (1313 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.055" L x 0.055" W (1.40mm x 1.40mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Espesor (Max) | 0.057" (1.45mm) |
Espaciamiento del plomo | - |
Estilo de plomo | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CDR12BG9R1ABUS Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CDR12BG9R1ABUS-FT |
SA055E104MAA7
AVX Corporation
SA055E104MAC
AVX Corporation
SA055E104MAC7
AVX Corporation
SA055E104MAR
AVX Corporation
SA055E104MARC
AVX Corporation
SA055E104MARC7
AVX Corporation
SA055E104ZAA
AVX Corporation
SA055E104ZAA7
AVX Corporation
SA055E104ZAC
AVX Corporation
SA055E104ZAC-LG
AVX Corporation
LFEC1E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XCS05-3VQ100C
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF6010AFC256-1
Intel
10AX048E4F29I3SG
Intel
5AGXBA5D4F27C4N
Intel
LCMXO640E-3BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF31C8
Intel
EP2SGX90FF1508I4N
Intel